电子信息综合检测中心配备了世界顶级电子信息检测所需要的仪器和设备，拥有完善的静电防护设施。可以满足电子信息硬件检测的绝大部分需求，包括模拟电路测试、数字电路测试、射频/微波/毫米波器件检测，还包括无线通信系统测试、电路设计及仿真、系统设计及仿真等。

中心分为常规电子（低、中频测试区）、高频、超高频、光学平台、探针台、电子装联等试验区。可同时提供63个电子检测工位，包括3间独立的电子检测实验舱。

实验室布局图

单片微波集成电路(MMIC)综合实验室

MMIC即微波单片集成电路，是高精尖国防及民用设备的重要支柱，广泛用于各种先进的战术导弹、电子战、通信系统，陆海空基的各种先进的相控阵雷达（特别是机载和星载雷达），在民用商业的移动电话、无线通信、个人卫星通信网、全球定位系统、直播卫星接收和毫米波自动防撞系统等方面已形成正在飞速发展的巨大市场。因为其频率高、封装效应大、设计和测试难度高，成为当前微电子领域攻克的重点难关之一，MMIC测试实验平台依托清华大学强大学术力量，结合是德科技、普源精电等国内外顶尖科学仪器公司实际工程经验，在生态城政策大力支持下，面向全社会提供从建模、设计到仿真、测试的咨询服务。软件方面，实验室拥有业界领先的建模软件可提供半导体器件的定制化建模服务；硬件方面，实验室拥有8寸探针台、精密半导体参数测试仪、110GHz毫米波矢量网络分析仪用于完成直流IV/CV，交流参数的测试。

1半导体器件定制化建模服务
     Cell Evaluation & Device
     模型类型：
    物理模型、行为模型、经验模型、紧凑型模型
     半导体材料类型：
    GaAs砷化镓、GaN氮化镓、InP磷化铟、SiGe硅锗
     器件类型：
    HBT、HEMT、MESFET
     模型种类：
    小信号、非线性
     频率范围：
    DC~110GHz

      能够提取高速数字、模拟和功率射频主流应用软件中所使用的精确而紧凑的模型，对CMOS、Bipolar、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等其他半导体器件进行提参建模。

Output：PDK Model文件

2MMIC芯片、模块设计及仿真
     Design & simulation
     芯片类型包括：
    功放、低噪放、开关、混频器、调制器芯片等
     模块类型包括：
    T/R收发组件、变频组件
     设计步骤包括：
    电路设计、电磁分析、热分析、封装仿真

      通过利用先进的EDA工具，创建可靠的设计方案，使设计一次性成功通过测试并实现高产出率。利用所有主要 MMIC 代工厂提供的完整并且持续更新的工艺设计套件（PDK），在仿真软件中进行 MMIC原理图设计、高良率优化等前端设计


      除此之外还可提供精确的电路行为模型提供给客户的系统设计部门评估芯片性能对子系统/系统的功能影响。

Output：Circuit Design & EM Field Analysis

3微波毫米波测试服务
     Wafer Test & Measurement
     应用领域：
    5G移动通信、雷达、制导、遥感技术、射电天文学、临床医学、波谱学、汽车电子及自动驾驶、手势互动
    识别、工业检测等
     测试功能：
    直流IV/CV测试，频谱测试、单端和差分S参数、功率、噪声系数、非线性X参数、负载牵引等
     测试条件：
    连续波、脉冲、高低温
     频率范围：
    DC ~ 110GHz
     温度范围：
    -60℃~+300℃

      8寸探针台、精密半导体参数测试仪、110GHz毫米波矢量网络分析仪均为领先行业的测试测量设备，为广大行业用户提供可溯源的精确测量结果

4芯片级功能验证
     Function Verification
		            			
     系统、子系统中各个芯片和功能模块的实现时间节点或许不同，当实际的芯片研制生产出来之后，设计师需要检测芯片性能，通过我们的验证测试环境，系统设计师能够将获得的芯片时域及频域参数输入到数字化样机的仿真环境当中，分析经过实际测试出来的芯片性能对模块、子系统及系统的性能影响，在实际的设计过程当中，这种半实物仿真的方法被广泛的采用，可以迅速定位每个芯片和功能模块参数变化对系统指标的影响。 利用高性能示波器验证分析时域参数，利用矢量信号分析仪进行频域参数的分析。

依托待孵化的各种传感芯片、传感网络技术、人工智能技术、智能设备大数据等科技成果，布局智能家居领域。

智能家居研发中心将融科技成果研发、产品开发、产业应用和家居生活新体验于一体，使得众多科技成果有一个明确方向性载体（应用领域），推动智能家居产业发展和传统家具产业的更新换代以及国际竞争力。

计划联手国内外龙头企业，建立产业联盟。本计划已得到长虹集团和海尔投资的认可，年后将进一步落实合作模式，扩大合作企业和领域。

智能家居研发中心计划选址在启发大厦主楼四楼，占地面积约为700平方米，分为研发区、研讨区、信息收集及策划区、智慧生活体验区和智能办公区。即将涵盖所有世界级领先智能家居产品，让参观者全方位体验未来科技带来的方便与快捷。

实验室布局图

人工智能大数据云计算中心占地约280平方米，为项目团队提供科学计算服务，中心不仅能储存庞大的数据信息，而且可以快速的对含有意义的数据进行专业化处理。提高对数据的“加工能力”，通过“加工”实现数据的“增值”。中心服务器支持分布式大数据存储和查询、人脸识别、姿态识别、机器学习与深度学习等热点技术。同时围绕大数据的采集、处理、存储、分析、呈现及应用服务全过程，着力开展相关技术的应用推广工作。中心建设达到国际先进数据中心建设标准。空间节约50%，能耗降低15%，性能提升4倍，满足未来5-10年的业务发展需求。

中心将成为连接政府、企业、高校、研究院所、资本和创业型企业的纽带和中枢，计划形成在学科、学术、技术、产业、机制五方面均在国内具有引领地位的大型创新平台，促进国家产业标准和产业政策的形成，推动科技成果的产业落地。

大数据机房布局图

中心简介

光电子芯片工艺中心位于启发大厦一层超净实验室，面积约800㎡，其中百级黄光区100㎡。中心拥有完整的光电子器件研发设备，支持III-V族半导体、硅基半导体、二维材料、柔性材料、金属材料等光电子芯片的研发，并具有多个纳米尺度的特色工艺模块和先进表征模块；配套的测试实验室提供国际领先的芯片测试分析技术。中心在面向支持天津电子院项目孵化的同时，面向社会开放，提供纳米尺度下光电子芯片的制备工艺的解决方案，以提升我国光电子芯片的研发水平和产业化进程。

目前光电子芯片工艺中心超净室研发设备已陆续到场，正在进行设备二次配管及安装调试，预计到2018年6月份，全部设备可完成调试工作，投入使用。

中心概况

中心设备总体规划超过2亿元。引进目前世界最先进的电子束直写设备（EBL），可直写10纳米量级的图形。中心拥有当今最先进的聚焦离子束显微镜，同时还有薄膜沉积、等离子蚀刻、电子束蒸发等光电芯片研发设备，代表了微纳加工和结构/材料表征的世界顶级水平。

若干微纳结构工艺模块

为基础物理研究、新材料结构探索、新功能器件开发提供
各种微纳尺度光电结构的设计、加工、测试全套解决方案

1、各种形状硅线波导、Slot波导
2、OAM空间辐射结构
3、光子晶体一维纳米臂波导/微腔、二维波导/微腔
4、光声晶体悬臂波导微腔
5、微纳结构折射率热调控电极工艺

6、III-V族有源材料高深宽比刻蚀工艺
7、金属SPP波导及器件
8、金属-介质核壳结构、“爆米花”结构纳米颗粒
9、双曲超材料的制备及性能测试
10、真空端面电子发射源制备及性能测试

中心主要设备

实验室布局图

建设中......